Транзистор полевой SI4948BEY-T1-E3
Нет в наличии
Описание
Транзистор полевой SI4948BEY-T1-E3 от JSMSEMI — это сдвоенный P-канальный MOSFET в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Выполнен по технологии TrenchFET, что обеспечивает низкое сопротивление канала и быстрое переключение (время нарастания до 22 нс, спада до 55 нс). Компонент не содержит галогенов и соответствует стандарту RoHS. Применяется в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | Dual P-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 (Narrow) |
| Особенности | Halogen-free according to IEC 61249-2-21, TrenchFET Power MOSFET, Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC |
| Тип монтажа | SMD |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Технология | TrenchFET |
| Артикул | SI4948BEY-T1-E3 |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Макс. время спада | 55ns |
| Тип. время спада | 35ns |
| Ordering info | SI4948BEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free), SI4948BEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) |
| Макс. время нарастания | 22ns |
| Тип. время нарастания | 15ns |
| Макс. ширина корпуса | 4.00mm |
| Body width min | 3.80mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Высота корпуса макс. | 1.75mm |
| Body height min | 1.35mm |
| Макс. длина корпуса | 5.00mm |
| Мин. длина корпуса | 4.80mm |
| Gate resistance | 14Ω |
| Avalanche energy | 11mJ |
| Лавинный ток | 15A |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 3.7nC |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Количество каналов | 2 |
| Размеры упаковки | E: 1.27mm (BSC); A max: 1.75mm; A min: 1.35mm; B max: 0.51mm; B min: 0.35mm; C max: 0.25mm; C min: 0.19mm; D max: 5.00mm; D min: 4.80mm; E max: 4.00mm; E min: 3.80mm; H max: 6.20mm; H min: 5.80mm; L max: 0.93mm; L min: 0.50mm; S max: 0.64mm; S min: 0.44mm; H max: 0.50mm; H min: 0.25mm; A1 max: 0.20mm; A1 min: 0.10mm; Angle q max: 8°; Angle q min: 0° |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -25A |
| Тип. заряд затвор-сток | 3.7nC |
| Заряд затвора макс. | 22nC |
| Тип. заряд затвора | 14.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.2nC |
| On state drain current | -25A |
| Время вкл. макс. | 15ns |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. время выключения | 75ns |
| Время задержки выкл. тип. | 50ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -60V |
| Прямая крутизна | 8.5S |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.8V |
| Power dissipation 10s 25c | 2.4W |
| Power dissipation 10s 70c | 1.7W |
| Pulsed drain current 10us | 25A |
| Макс. время обрат. восстановления | 50ns |
| Тип. время восст. | 30ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Power dissipation ta25 10s | 2.4W |
| Power dissipation ta70 10s | 1.7W |
| Power dissipation steady 25c | 1.4W |
| Power dissipation steady 70c | 0.95W |
| Continuous source current 10s | -2A |
| Энергия одиноч. импульса | 11mJ |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Continuous drain current 10s 25c | -3.1A |
| Continuous drain current 10s 70c | -2.4A |
| Continuous source current steady | -1.1A |
| Continuous drain current ta25 10s | 3.1A |
| Continuous drain current ta70 10s | 2.6A |
| Continuous source current ta25 10s | 2A |
| Continuous drain current steady 25c | -2.6A |
| Continuous drain current steady 70c | -2.0A |
| Power dissipation ta25 steady state | 1.4W |
| Power dissipation ta70 steady state | 0.95W |
| Zero gate voltage drain current 25c | -1µA |
| Zero gate voltage drain current 70c | -10µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Drain source on resistance vgs 10v max | 0.120Ω |
| Drain source on resistance vgs 10v typ | 0.100Ω |
| Drain source on resistance vgs 4v5 max | 0.150Ω |
| Drain source on resistance vgs 4v5 typ | 0.126Ω |
| Source drain reverse recovery time max | 50ns |
| Source drain reverse recovery time typ | 30ns |
| Drain source on resistance vgs 4.5v max | 0.150Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v typ | 0.126Ω |
| Continuous drain current ta25 steady state | 2.4A |
| Continuous drain current ta70 steady state | 2.0A |
| Continuous source current ta25 steady state | 1.1A |
| Thermal resistance junction ambient 10s max | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s max | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 10s typ | 53°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady max | 37°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady typ | 30°C/W |
| Thermal resistance junction foot steady state max | 37°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady max | 110°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady typ | 85°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state max | 110°C/W |
| Напряжение, В | 60 |
| Тип транзистора | Dual P-Channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?