Документация
Транзистор IRLR3110ZTRPBF
У поставщика
У поставщиков
10 142 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:10 142 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 107,94 |
| от 74 | 101,53 |
| от 147 | 97,24 |
| от 293 | 93,47 |
| от 586 | 90,93 |
Описание
Транзистор IRLR3110ZTRPBF от Infineon — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по технологии HEXFET. Компонент оптимизирован для работы с логическими уровнями управления, что позволяет напрямую управлять им от микроконтроллеров. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что снижает потери мощности, и применяется в цепях коммутации нагрузки, DC/DC-преобразователях и системах управления питанием.
Технические характеристики
| Корпус | D-Pak (TO-252) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 48ns |
| Время нарастания | 110ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Тип монтажа | SMD (D-Pak) / THT (I-Pak) |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 15nC |
| Вх. емкость | 3980pF |
| Заряд затвор-исток | 10nC |
| Выходная емкость | 310pF |
| Время задержки включения | 24ns |
| Время задержки выключения | 33ns |
| Мощн. рас. 25°C | 140W |
| Макс. рассеиваемая мощность | 140W |
| Заряд затвора макс. | 48nC |
| Тип. заряд затвора | 34nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.95 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±16V |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Current drain pulsed max | 250A |
| Drain source leakage 25c | 20µA |
| Прямая крутизна | 52S |
| On resistance max vgs10v | 14mΩ |
| On resistance min vgs10v | 11mΩ |
| Output capacitance vds1v | 1820pF |
| Pulsed drain current max | 250A |
| Voltage drain source max | 100V |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Drain source leakage 125c | 250µA |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| On resistance max vgs4 5v | 16mΩ |
| On resistance min vgs4 5v | 12mΩ |
| Output capacitance vds80v | 170pF |
| Output capacitance vds 1v | 1820pF |
| Макс. время обрат. восстановления | 51ns |
| Тип. время восст. | 34ns |
| Source current pulsed max | 250A |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 25v | 310pF |
| Output capacitance vds 80v | 170pF |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 200nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -200nA |
| Reverse recovery charge max | 63nC |
| Тип. заряд восст. | 42nC |
| Effective output capacitance | 320pF |
| Обратная проходная емкость | 130pF |
| Source current continuous max | 63A |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 20µA |
| Pulsed source current body diode | 250A |
| Reflow soldering temperature max | 300°C for 10 seconds |
| Current drain continuous max 100c | 45A |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 100V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Gate source leakage current forward | 200nA |
| Gate source leakage current reverse | -200nA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 110°C/W |
| Continuous source current body diode | 63A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Single pulse avalanche energy tested | 140mJ |
| Thermal resistance junction case max | 1.05°C/W |
| Drain source on resistance vgs 10v max | 14mΩ |
| Drain source on resistance vgs 10v typ | 11mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 110 °C/W |
| Drain source on resistance vgs 4 5v max | 16mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4 5v typ | 12mΩ |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.05 °C/W |
| Current drain continuous max package 25c | 42A |
| Current drain continuous max silicon 25c | 63A |
| Continuous drain current 25c package limited | 42A |
| Continuous drain current 25c silicon limited | 63A |
| Continuous drain current 100c silicon limited | 45A |
| Single pulse avalanche energy thermal limited | 110mJ |
| Thermal resistance junction ambient pcb mount | 40°C/W |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 110mJ |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?