Документация

Транзистор MJD127T4

Артикул:145630

Нет в наличии

Ед. изм.шт

Цены (собственный склад)

Кол-во, шт.	Цена, ₽
от 1	83,89

Узнать срок доставки Искать на других складах

Описание

Транзистор Дарлингтона MJD127T4 от ST Microelectronics — мощный PNP-компонент для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 8 А и напряжение до 100 В, рассеивая до 20 Вт в корпусе DPAK. Благодаря высокому коэффициенту усиления (до 12000) подходит для схем с большим током нагрузки. Применяется в промышленной автоматике, драйверах двигателей и силовых ключах.

Технические характеристики

Тип	Darlington transistor
Ib max	-0.12A
Макс. ток коллектора	-8A
Макс. HFE	12000
Мин. HFE	1000
Icm max	-16A
Корпус	DPAK (TO-252)
Тип монтажа	SMD
Полярность	PNP
Макс. Ptot	20W
VCBO макс.	-100V
Vceo макс.	-100V
Vebo макс.	-5V
Технология	planar with base island and monolithic Darlington
Vbe on max	-2.8V at -4A/-4V
Vbe нас. макс.	-4.5V at -8A/-80mA
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер	-2V at -4A/-16mA, -4V at -8A/-80mA
Package pitch e	2.28 mm
Package width b	0.64 to 0.90 mm
Package width e	6.40 to 6.60 mm
Package angle v2	0° to 8°
Package height a	2.20 to 2.40 mm
Package height h	9.35 to 10.10 mm
Package length d	6.00 to 6.20 mm
Package pitch e1	4.40 to 4.60 mm
Package radius r	0.20 mm
Package width b4	5.20 to 5.40 mm
Package width e1	4.70 mm
Package height a1	0.90 to 1.10 mm
Package height a2	0.03 to 0.23 mm
Package length d1	5.10 mm
Диапазон температур хранения	-65 to 150 °C
Package thickness c	0.45 to 0.60 mm
Internal resistor r1	16 kΩ
Internal resistor r2	60 Ω
Package thickness c2	0.48 to 0.60 mm
Package lead length l	1 mm
Тепловое сопротивление JC	6.25 °C/W
Package lead length l1	2.80 mm
Package lead length l2	0.80 mm
Package lead length l4	0.60 to 1 mm
Collector emitter diode	integrated antiparallel
Operating junction temp max	150 °C
Тип транзистора	Darlington transistor

Заметили ошибку в описании или параметрах?