SELECT `qty`+`qty_msk`-`rez_minsk`-`rez_msk` as `qt`,`qty`-`rez_minsk` as `qt_minsk`, `qty_msk`-`rez_msk` as `qt_msk`,`modx_site_content_tmc`.`unit`,`modx_site_content_tmc`.`stock_status`,`modx_site_content_tmc`.`will`,`modx_site_content_tmc`.`status_tov`,`packing` FROM `modx_site_content_tmc` LEFT JOIN `modx_site_content_sklad` ON `modx_site_content_sklad`.`sku`=`modx_site_content_tmc`.`sku` WHERE `modx_site_content_tmc`.`resource`=273795
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 2500 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Диапазон рабочих температур, °C
-40…+125 °С
Масса
5.10
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
2
Выходной ток
200 мА
Количество
каналов - 1
Напряжение
питания 12...20В
Описание
High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver
Тип выхода
CMOS, TTL
Ток
источника питания(рабочий) - 120 uA
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 2500 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Диапазон рабочих температур, °C
-40…+125 °С
Масса
5.10
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
2
Выходной ток
200 мА
Количество
каналов - 1
Напряжение
питания 12...20В
Описание
High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver
Тип выхода
CMOS, TTL
Ток
источника питания(рабочий) - 120 uA
Тип:Совмещёный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT;Вес брутто:0.32;Транспортная упаковка: размер/кол-во:58*46*50/2500;Мощность:рассеиваемая (max)-625 мВт;Напряжение:питания 12...20В;Диапазон рабочих температур:-40…+125 °С;Ток:источника питания(рабочий)-120 uA;Описание:High voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver;Количество:каналов-1;Выходной ток:200 мА;Тип выхода:CMOS, TTL;Корпус:SOIC-8;Упаковка:REEL, 2500 шт.;MSL(Уровень чувствительности к влажности):2
Удаленное рабочее место «Radiodetali», предназначено для резервирования, заказа,
оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.
