+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFR9024NTRPBF
Документация

Транзистор IRFR9024NTRPBF

Артикул:128762
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
43 331 шт.
Норм. уп.: 25
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1014,47
от 2014,07
от 4013,66
от 8013,36
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:250 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 600
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1014,47
от 2014,07
от 4013,66
от 8013,36
Склад 13
В наличии:38 881 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 30 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 124,24
от 26322,23
от 52620,87
от 1 05219,69
от 2 00018,89
Склад 12
В наличии:4 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 1500 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 130,02
от 2519,98
от 25018,56
Описание

Полевой P-канальный MOSFET-транзистор от Infineon. Выдерживает напряжение до -55 В, ток до -17 А и рассеивает до 38 Вт тепла. Выполнен в поверхностном корпусе TO-252-3 для компактного монтажа. Применяется в импульсных источниках питания и силовых цепях промышленной автоматики.

Технические характеристики
Типполевые (FETs, MOSFETs)
Мощность, Вт38
Вес0.93
Ток, А-17
В упаковкеREEL, 2000 шт.
МаркировкаIRFR9024N
КорпусTO-252-3
Напряжение, В-55
Тип монтажаSMD
ПолярностьP-Channel
Без свинцаДа
Рабочая температура-55…+150 °С
РазмерыШирина корпуса: 6.22mm (0.245in); Высота корпуса: 2.39mm (0.094in); Длина корпуса: 6.73mm (0.265in); Длина вывода: 1.27mm (0.050in)
ТехнологияHEXFET Power MOSFET
АртикулIRFR9024NTRPBF
ПроизводительInternational Rectifier
Datasheet notesControlling dimension: millimeter. All dimensions in millimeters (inches).
Напряжение затвор-истокVGS = ±20V
Drain source resistanceRDS(on) = 0.175Ω (max) at VGS = -10V
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Диап. раб. темп.-55°C to +150°C
Тепловое сопр. переход-корпусRthJC = 3.0°C/W
Тепловое сопротивление переход-средаRthJA = 50°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?