Документация
Транзистор полевой MUN5111T1G
У поставщика
У поставщиков
11 154 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,89 ₽
Сумма1 378,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии11 154 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 271 — 5,93 ₽ (−14%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 378,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 922,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 378,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный MUN5111T1G от ON Semiconductor. Выполнен в компактном корпусе SOT-323, подходит для поверхностного монтажа. Отличается низким током утечки и стабильной работой при малых напряжениях. Применяется в схемах управления нагрузкой в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| R1 | 10kΩ |
| R2 | 10kΩ |
| Тип | биполярные |
| Корпус | 419 |
| Вывод 1 | Base (Input) |
| Вывод 2 | Emitter (Ground) |
| Pin3 | Collector (Output) |
| Стиль | 3 |
| Маркировка | 6A |
| Корпус | SC-70/SOT-323 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Лента и катушка |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | PNP Digital Transistor (BRT) with monolithic bias resistor network |
| Артикул | MUN5111T1G |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | PNP |
| Количество в упаковке | 3000 |
| AEC-Q101 | Да |
| Макс. входной резистор R1 | 13kΩ |
| Мин. входной резистор R1 | 7.0kΩ |
| Тип. входной резистор R1 | 10kΩ |
| Выходное напряжение включенного состояния, В | 0.2V |
| Выходное напряжение выключенного состояния, В | 4.9V |
| Hfe мин. | 35 |
| Тип. коэффициент усиления по току hFE, DC | 60 |
| Снижение выше 25 °C, мин. площадка | 1.6mW/°C |
| Отношение резисторов R1/R2, макс. | 1.2 |
| Отношение резисторов R1/R2, мин. | 0.8 |
| Отношение резисторов R1/R2, тип. | 1.0 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Input voltage on vi on min | 2.5V |
| Input voltage on vi on typ | 1.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Derate above 25c 1x1inch pad | 2.5mW/°C |
| Input voltage off vi off max | 0.8V |
| Input voltage off vi off typ | 1.2V |
| Прямое входное напряжение (Vin fwd) | 40V |
| Обратное входное напряжение | 10V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 100mA |
| Ток отсечки эмиттер-база IEBO | 0.5mA |
| Power dissipation pd 25c min pad | 202mW |
| Обратный ток коллектор-база (ICBO) | 100nA |
| Power dissipation pd 25c 1x1inch pad | 310mW |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер ICEO | 500nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | 50V |
| Thermal resistance junction lead min pad | 280°C/W |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | 50V |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 618°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat) | 0.25V |
| Thermal resistance junction lead 1x1inch pad | 332°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1x1inch pad | 403°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?