Документация
Транзистор IRF9520NPBF
У поставщика
У поставщиков
183 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт513,81 ₽
Сумма513,81 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии183 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
от 10 — 488,58 ₽ (−5%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 513,81 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 786,19 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 513,81 ₽
Описание
Транзистор Infineon IRF9520NPBF — P-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выполнен по технологии HEXFET, рассчитан на импульсный ток до -27 А и рассеиваемую мощность 48 Вт. Применяется в импульсных источниках питания, силовых ключах и цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный силовой MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | IRF9520NPBF |
| Rds(вкл) макс. | 0.48Ω at VGS=-10V, ID=-4.0A |
| Технология | HEXFET |
| Артикул | IRF9520NPBF |
| Время спада | 31 ns |
| Время нарастания | 47 ns |
| Момент затяжки | 10 фунт·дюйм (1.1 Н·м) |
| Размеры упаковки | 10.54mm x 3.78mm (0.415in x 0.149in) |
| Диапазон температур хранения | -55 to +175°C |
| Энергия лавины EAS | 140mJ |
| Общий заряд затвора (Qg) | 27 nC |
| Лавинный ток IAR | -4.0A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 15 nC |
| Температура пайки | 300°C в течение 10 секунд |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 5.0 nC |
| Пороговое напряжение затвора | -2.0V to -4.0V |
| Входная ёмкость Ciss | 350 pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.32 W/°C |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 110 pF |
| Напряжение сток-исток, В | -100V |
| Прямая крутизна | 1.4S min |
| Power dissipation pd 25c | 48W |
| Импульсный ток стока | -27A |
| Задержка включения (td on) | 14 ns |
| Прямое напряжение диода, В | -1.6V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0 V/ns |
| Импульсный ток истока | -27A |
| Время обратного восстановления | 100 ns (typ), 150 ns (max) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Задержка выключения | 28 ns |
| Ток утечки затвор-исток | 100nA forward; -100nA reverse |
| Макс. напряжение затвор-исток VGS | ±20V |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 420 nC (typ), 630 nC (max) |
| Непрерывный ток истока | -6.8A |
| Ток утечки сток-исток | -25µA at VDS=-100V; -250µA at VDS=-80V, TJ=150°C |
| Напряжение сток-исток Vds, макс. | -100V |
| Прямая крутизна (gfs) | 1.4 S |
| Внутренняя индуктивность стока (Ld) | 4.5 nH |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | -2.0V to -4.0V |
| Внутренняя индуктивность истока (Ls) | 7.5 nH |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -6.8A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -6.8A |
| Повторяющаяся лавинная энергия (EAR) | 4.8 mJ |
| Непрерывный ток стока при 100 °C | -4.8A |
| Длительный ток стока при Tc 100 °C | -4.8A |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | 100 nA |
| Импульсный ток истока, диод тела | -27A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 70 pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 140 mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.10 V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Thermal resistance case sink rthcs | 0.50°C/W typ |
| Длительный ток истока через диод | -6.8A |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | -100V |
| Drain source leakage current idss 25c | -25 µA |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор RthCS | 0.50 °C/W |
| Drain source leakage current idss 150c | -250 µA |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус (RthJC) | 3.1°C/W max |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Rds(on) | 0.48Ω |
| Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) | 62°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC | 3.1 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Тип транзистора | P-канальный силовой MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?