Документация
Транзистор IRF540NSTRLPBF
У поставщика
У поставщиков
1 845 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт62,99 ₽
Сумма944,85 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 838 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 36 — 58,04 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 944,85 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 355,15 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 944,85 ₽
Описание
Транзистор IRF540NSTRLPBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный полевой МОП-транзистор. Компонент оптимизирован для высокоэффективной коммутации в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери мощности. Применяется в силовой электронике, автомобильных системах и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 25ns |
| Ток стока импульсный | 60A |
| Время нарастания | 22ns |
| Rds(вкл) макс. | 90mΩ |
| Артикул | IRF540NSTRLPBF |
| Скорость нарастания напряжения dv/dt | 7.4V/ns |
| Задержка включения | 9.2ns |
| Задержка выключения | 35ns |
| Drain inductance | 4.5nH |
| Крутизна | 12S |
| Описание | MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
| Лавинный ток | 9.0A |
| Drain leakage 25c | 25µA |
| Заряд сток-затвор | 11nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 17A |
| Вх. емкость | 920pF |
| Условия измерения сопротивления сток-исток | VGS=10V, ID=9A |
| Source inductance | 7.5nH |
| Полный заряд затвора | 37nC |
| Макс. пороговое Vgs | 4.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 2.0V |
| Drain leakage 150c | 250µA |
| Заряд затвор-исток | 7.2nC |
| Непрерывный ток 100°C | 12A |
| Выходная емкость | 130pF |
| Макс. энергия лавины | 93mJ |
| Avalanche energy typ | 340mJ |
| Прямой ток утечки затвора | 100nA |
| Обратный ток утечки затвора | -100nA |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 93ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.47W/°C |
| Рассеиваемая мощность на корпусе | 70W |
| Заряд обратного восстановления | 320nC |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Импульсный ток диода тела | 60A |
| Рассеиваемая мощность при температуре среды | 3.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 19pF |
| Непрерывный ток диода тела | 17A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.15°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 33 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?