Документация
Транзистор IRF540NSTRLPBF
У поставщика
У поставщиков
2 760 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 713 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,20 |
| от 36 | 57,32 |
| от 71 | 53,33 |
| от 141 | 50,32 |
| от 282 | 48,08 |
Склад 12
В наличии:47 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,16 |
| от 100 | 32,20 |
Описание
Транзистор IRF540NSTRLPBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный полевой МОП-транзистор. Компонент оптимизирован для высокоэффективной коммутации в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери мощности. Применяется в силовой электронике, автомобильных системах и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | D2Pak (SMD), TO-262 (THT) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD (D2Pak) / THT (TO-262) |
| Время спада | 25ns |
| Ток стока импульсный | 60A |
| Время нарастания | 22ns |
| Rds(вкл) макс. | 90mΩ |
| Артикул | IRF540NSTRLPBF |
| Dv dt rating | 7.4V/ns |
| Задержка включения | 9.2ns |
| Задержка выключения | 35ns |
| Drain inductance | 4.5nH |
| Transconductance | 12S |
| Описание | MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
| Лавинный ток | 9.0A |
| Drain leakage 25c | 25µA |
| Заряд сток-затвор | 11nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 17A |
| Вх. емкость | 920pF |
| Rds on conditions | VGS=10V, ID=9A |
| Source inductance | 7.5nH |
| Полный заряд затвора | 37nC |
| Макс. пороговое Vgs | 4.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 2.0V |
| Drain leakage 150c | 250µA |
| Заряд затвор-исток | 7.2nC |
| Непрерывный ток 100°C | 12A |
| Выходная емкость | 130pF |
| Avalanche energy max | 93mJ |
| Avalanche energy typ | 340mJ |
| Gate leakage forward | 100nA |
| Gate leakage reverse | -100nA |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 93ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.47W/°C |
| Power dissipation case | 70W |
| Заряд обратного восстановления | 320nC |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Body diode pulsed current | 60A |
| Power dissipation ambient | 3.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 19pF |
| Body diode continuous current | 17A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.15°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?