+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
K4S64 1632H-TC75/54TSOP
Документация

Микросхема памяти K4S64 1632H-TC75/54TSOP

Артикул:122859
Нет в наличии
ПроизводительSamsung
КатегорияМикросхемы
Ед. изм.шт
Описание

Микросхема памяти Samsung K4S64 1632H — это 64-мегабитная SDRAM в корпусе 54-pin TSOP(II) для поверхностного монтажа. Работает при напряжении 3.3 В с тактовой частотой до 133 МГц, поддерживает программируемую задержку CAS и пакетную передачу данных. Применяется в промышленной автоматике, сетевом оборудовании и встраиваемых системах.

Технические характеристики
ИнтерфейсLVTTL
Шаг выводов0.8mm
Cas latency2 and 3 (programmable)
Burst length1, 2, 4, 8, full page
Организация4 banks x 1,048,576 words x 16 bits (64Mb)
Тип упаковки54-pin TSOP(II)
Способ монтажаSMD
Refresh period64ms (4K cycles)
Напряжение питания3.0V to 3.6V (typical 3.3V)
Рассеиваемая мощность1W (max)
Размеры упаковки10.16mm x 22.22mm x 1.20mm max
Макс. тактовая частота133MHz
Output capacitance dq4.0pF to 6.0pF (max 6.0pF for -75)
Standby current icc2p1mA
Supply voltage output3.0V to 3.6V (VDDQ same as VDD)
Operating current icc175mA
Input capacitance clock2.5pF to 3.5pF (max 3.5pF for -75)
Input capacitance address2.5pF to 3.8pF (max 3.8pF for -75)
Input capacitance control2.5pF to 3.8pF (max 3.8pF for -75)
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Диап. раб. темп.0°C to 70°C