Документация
Транзистор MJE340G
У поставщика
У поставщиков
293 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:293 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,18 |
| от 41 | 48,86 |
| от 82 | 45,32 |
| от 164 | 42,68 |
| от 327 | 40,69 |
Описание
Транзистор MJE340G от ON Semiconductor — кремниевый NPN-прибор в корпусе TO-225 для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение до 300 В и ток до 500 мА, рассеивает до 20 Вт мощности. Применяется в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Корпус | CASE 77-09 |
| Тип | NPN Silicon Transistor |
| Вывод 1 | Emitter |
| Вывод 2 | Collector |
| Вывод 3 | Base |
| Вывод 4 | Collector |
| Pd макс. | 20W |
| Макс. HFE | 240 |
| Мин. HFE | 30 |
| Корпус | TO-225 |
| Pin 2 4 | Collector |
| Vcb max | 300V |
| Veb max | 3.0V |
| Icbo макс. | 100µA |
| Макс. IEBO | 100µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Vceo макс. | 300V |
| Без свинца | Да |
| Pd derate | 0.16W/°C |
| Размеры | A: 2.40-3.00mm; D: 10.60-11.10mm; E: 7.40-7.80mm; L: 14.50-16.63mm; P: 2.90-3.30mm; Q: 3.80-4.20mm; B: 0.60-0.90mm; C: 0.39-0.63mm; E: 2.04-2.54mm; A1: 1.00-1.50mm; L1: 1.27-2.54mm; B2: 0.51-0.88mm |
| Комплементарный аналог | MJE350 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Vbe on typical | 0.8V (IC=500mA, VCE=10V) |
| Vbe sat typical | 1.0V (IC=500mA, IB=50mA) |
| Vce sat typical | 0.2V (IC=500mA, IB=50mA) |
| Снижение выше 25°C | 0.16mW/°C |
| Макс. непрерывный Iс | 500mA |
| Hfe test conditions | IC=50mA, VCE=10V |
| Vceo sustaining min | 300V |
| Размеры корпуса мм | A: 2.40-3.00; D: 10.60-11.10; E: 7.40-7.80; L: 14.50-16.63; P: 2.90-3.30; Q: 3.80-4.20; B: 0.60-0.90; C: 0.39-0.63; E: 2.04-2.54; A1: 1.00-1.50; L1: 1.27-2.54; B2: 0.51-0.88 |
| Макс. коэффициент усиления по току | 240 |
| Hfe мин. | 30 |
| Second breakdown limits | See SOA |
| Soa limits single pulse | TC=25°C |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 20W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -65°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 3V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100µA |
| Непрерывный ток коллектора | 500mA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 100µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 300V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 6.25°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Collector emitter sustaining voltage vceo sus | 300V |
| Тип транзистора | NPN Silicon Transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?