Документация
Описание
Транзистор MJE15034G от ON Semiconductor — мощный NPN-компонент в корпусе TO-220. Выдерживает напряжение до 350 В и постоянный ток до 4 А, пиковый ток достигает 8 А. Подходит для линейных стабилизаторов, усилителей мощности и схем коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| ESD (мм) | C V |
| Ib max | 1.0A |
| ЭСР HBM | 3B V |
| Ic peak | 8.0A |
| Корпус | TO-220 |
| Без свинца | Да |
| Vcb max | 350V |
| Veb max | 5.0V |
| Icbo макс. | 10µA |
| Макс. IEBO | 10µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vceo макс. | 350V |
| Без свинца | Да |
| Шаг выводов | 4.83-5.33mm |
| Lead count | 3 |
| Vbe on max | 1.0V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5V |
| Корпус | 221A |
| Комплементарный аналог | MJE15035G |
| Ic continuous | 4.0A |
| Диаметр вывода | 0.64-0.96mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Base current ib | 1.0Adc |
| Power derate ta | 0.016W/°C |
| Power derate tc | 0.40W/°C |
| Ширина корпуса | 9.66-10.53mm |
| Размеры упаковки | Width b max: 10.53mm; Width b min: 9.66mm; Height c max: 4.83mm; Height c min: 4.07mm; Length a max: 15.75mm; Length a min: 14.48mm; Lead spacing t max: 6.47mm; Lead spacing t min: 5.97mm; Lead thickness d max: 0.96mm; Lead thickness d min: 0.64mm |
| Derate above 25c ta | 0.016W/°C |
| Derate above 25c tc | 0.40W/°C |
| Package body height | 14.48-15.75mm |
| Vceo sustaining min | 350V |
| Hfe ic 1a vce 5v min | 50 |
| Hfe ic 2a vce 5v min | 10 |
| Power dissipation ta | 2.0W |
| Power dissipation tc | 50W |
| Hfe ic 0.1a vce 5v min | 100 |
| Hfe ic 0.5a vce 5v min | 100 |
| Package body thickness | 4.07-4.83mm |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Emitter base voltage veb | 5.0Vdc |
| Esd machine model rating | C |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Collector base voltage vcb | 350Vdc |
| Collector current peak icm | 8.0Adc |
| Esd human body model rating | 3B |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 350Vdc |
| Total power dissipation ta 25c | 2.0W |
| Total power dissipation tc 25c | 50W |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 4.0Adc |
| Current gain bandwidth product min | 30MHz |
| Dc current gain hfe ic 0.1a vce 5v | 100 min |
| Dc current gain hfe ic 0.5a vce 5v | 100 min |
| Dc current gain hfe ic 1.0a vce 5v | 50 min |
| Dc current gain hfe ic 2.0a vce 5v | 10 min |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -65°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Base emitter on voltage vbe on ic 1a vce 5v | 1.0V max |
| Current gain bandwidth product ft ic 500ma vce 10v | 30 MHz min |
| Collector emitter saturation voltage vce sat ic 1a ib 0.1a | 0.5V max |
| Тип транзистора | NPN |
Заметили ошибку в описании или параметрах?