Документация
Описание
Полевой N-Channel MOSFET от ON Semiconductor в компактном корпусе SuperSOT-6 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 30 В и постоянный ток до 5 А (импульсный до 15 А) при максимальной рассеиваемой мощности 1,6 Вт. Отличается низким сопротивлением открытого канала (всего 0,035 Ом при 10 В на затворе) и рабочим диапазоном температур от -55 до +150 °C. Подходит для цепей управления питанием, DC/DC-преобразователей и портативной электроники.
Технические характеристики
| Ciss | 350pF |
| Coss | 220pF |
| Crss | 80pF |
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Pd макс. | 1.6W |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs порог макс. | 2V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Id max pulsed | 15A |
| Rds on vgs10v | 0.035Ω |
| Rds on vgs4 5v | 0.055Ω |
| Vgs th typical | 1.7V |
| Id max continuous | 5A |
| Полный заряд затвора | 17nC |
| Temp range operating | -55°C to 150°C |
| Body diode forward voltage | 1.2V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 30°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 78°C/W |
| Тип транзистора | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?