Документация
Транзистор IPW60R080P7XKSA1
Нет в наличии
Описание
Транзистор Infineon IPW60R080P7XKSA1 выполнен по технологии CoolMOS P7. Работает при напряжении до 600 В, импульсный ток до 110 А, сопротивление открытого канала 80 мОм. Корпус PG-TO247-3 для монтажа в отверстия. Применяется в импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pin1: Gate, Pin2: Drain (tab), Pin3: Source |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Макс. Vds | 600V |
| Id pulse | 110A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | CoolMOS P7 |
| Артикул | IPW60R080P7XKSA1 |
| Тип. время спада | 5ns |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Esd robustness | >2kV (HBM) |
| Rds on max 25c | 80mΩ |
| Rds on typ 25c | 69mΩ |
| Vgs max static | ±20V |
| Момент затяжки | 60Ncm |
| Rds on typ 150c | 169mΩ |
| Vgs max dynamic | ±30V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Vds max at tjmax | 650V |
| Ток стока непрерывный 25C | 37A |
| Vds breakdown min | 600V |
| Gate charge gd typ | 15nC |
| Gate charge gs typ | 12nC |
| Непрерывный ток 100°C | 32A |
| Gate resistance typ | 4.8Ω |
| Body diode di dt max | 900A/µs |
| Gate charge total typ | 51nC |
| Тип. входная емкость | 2180pF |
| Мощн. рас. 25°C | 129W |
| Выходная емкость тип. | 37pF |
| Время задержки вкл. тип. | 15ns |
| Время задержки выкл. тип. | 70ns |
| Body diode dv dt reverse | 50V/ns |
| Body diode pulse current | 110A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.5V |
| Operating junction temp max | 150°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Avalanche energy single pulse | 118mJ |
| Avalanche current single pulse | 5.5A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.97°C/W |
| Effective output capacitance time | 716pF |
| Effective output capacitance energy | 69pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Body diode forward current continuous | 37A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?