Документация
Транзистор IPW60R060P7XKSA1
У поставщика
У поставщиков
30 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:30 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 005,74 |
| от 3 | 955,52 |
| от 6 | 914,61 |
| от 11 | 884,22 |
| от 21 | 861,63 |
Описание
Транзистор MOSFET от Infineon выполнен по технологии CoolMOS P7 с суперджанкшен структурой. Рабочее напряжение до 600 В, импульсный ток до 151 А, сопротивление открытого канала всего 0,06 Ом. Корпус PG-TO247-3 подходит для монтажа в отверстия. Применяется в мощных импульсных источниках питания, промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 4 ns |
| Tr | 12 ns |
| Заряд затвор-сток | 20 nC |
| Заряд затвор-исток | 15 nC |
| Ciss | 2895 pF |
| Coss | 48 pF |
| Тип | MOSFET |
| Td(вкл) | 23 ns |
| Td(выкл) | 79 ns |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Макс. Vds | 600V |
| Id pulse | 151A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Qg total | 67 nC |
| Время спада | 4ns |
| Время нарастания | 12ns |
| Rds(вкл) макс. | 0.060 Ohm |
| Rds(вкл) тип. | 0.0419 Ohm |
| Технология | CoolMOS P7, superjunction |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 3.5V |
| Артикул | IPW60R060P7XKSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Vds at tjmax | 650V |
| Esd robustness | >2kV HBM |
| Gate resistance | 2.8 Ohm |
| Момент затяжки | 60 Ncm |
| Dv dt ruggedness | 80 V/ns |
| Лавинный ток | 6.4A |
| Coss time related | 925 pF |
| Заряд сток-затвор | 20nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 80A |
| Вх. емкость | 2895pF |
| Рассеиваемая мощность | 164W |
| Полный заряд затвора | 67nC |
| Заряд затвор-исток | 15nC |
| Id continuous 150c | 43A |
| Выходная емкость | 48pF |
| Reverse diode dvdt | 50V/ns |
| Время задержки включения | 23ns |
| Coss energy related | 89 pF |
| Diode pulse current | 151A |
| Reverse diode dv dt | 50 V/ns |
| Время задержки выключения | 79ns |
| Импульсный ток стока | 151A |
| Mosfet dvdt ruggedness | 80V/ns |
| Avalanche energy single | 159 mJ |
| Diode commutation speed | 900 A/µs |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Diode continuous current | 48A |
| Макс. напряжение сток-исток | 650V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Gate source voltage static | -20 to 20 V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.5V |
| Avalanche energy repetitive | 0.80 mJ |
| Gate source voltage dynamic | -30 to 30 V |
| Max diode commutation speed | 900A/µs |
| Avalanche energy single pulse | 159mJ |
| Continuous drain current tc25 | 38A |
| Avalanche current single pulse | 6.4A |
| Continuous drain current tc100 | 24A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Макс. Rси вкл. | 0.060Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.049Ω |
| Continuous diode forward current | 48A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.76 °C/W |
| Drain source voltage max junction | 650V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Мощность, Вт | 164 |
| Тип транзистора | MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?