Документация
Транзистор полевой IRF7759L2TRPBF
Нет в наличии
Описание
Мощный полевой MOSFET-транзистор от Infineon в сверхкомпактном корпусе DirectFET высотой менее 0.7 мм. Выдерживает импульсный ток стока до 640 А и имеет типовое сопротивление затвора 1.1 Ом. Подходит для высокочастотных преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | DirectFET |
| Profile | less than 0.7mm |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Артикул | IRF7759L2TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип. время спада | 33ns |
| Тип. время нарастания | 37ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | 96A |
| Switch charge typ | 73nC |
| Gate resistance typ | 1.1Ω |
| Industrial qualified | Да |
| Импульсный ток стока | 640A |
| Тип. входная емкость | 12222pF |
| Заряд затвора макс. | 300nC |
| Тип. заряд затвора | 200nC |
| Время задержки вкл. тип. | 18ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 80ns |
| Drain source voltage min | 75V |
| Прямая крутизна | 74S |
| Gate to drain charge max | 93nC |
| Gate to drain charge typ | 62nC |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Gate charge overdrive typ | 91nC |
| Макс. время обрат. восстановления | 96ns |
| Тип. время восст. | 64ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Peak soldering temperature | 270°C |
| Power dissipation at ta 25c | 3.3W |
| Power dissipation at tc 25c | 125W |
| Reverse recovery charge max | 225nC |
| Тип. заряд восст. | 150nC |
| Output charge typ at vds 16v | 60nC |
| Power dissipation at tc 100c | 63W |
| Avalanche energy single pulse | 257mJ |
| Pre vth gate source charge typ | 37nC |
| Post vth gate source charge typ | 11nC |
| Output capacitance typ at vds 1v | 7457pF |
| Pulsed source current body diode | 640A |
| Обр. проходная емкость тип. | 609pF |
| Output capacitance typ at vds 25v | 1465pF |
| Output capacitance typ at vds 60v | 955pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02V/°C |
| Gate threshold voltage coefficient | -11mV/°C |
| Continuous source current body diode | 160A |
| Thermal resistance junction to pcb max | 0.5°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.2°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 45°C/W |
| Drain current continuous at ta 25c silicon limited | 26A |
| Drain current continuous at tc 25c package limited | 375A |
| Drain current continuous at tc 25c silicon limited | 160A |
| Thermal resistance junction to ambient typ 1in2 cu | 12.5°C/W |
| Drain current continuous at tc 100c silicon limited | 113A |
| Thermal resistance junction to ambient typ heatsink | 20°C/W |
| Static drain source on resistance max at vgs 10v id 96a | 2.3mΩ |
| Static drain source on resistance typ at vgs 10v id 96a | 1.8mΩ |
| Тип транзистора | Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?