Документация
Описание
Полевой P-Channel JFET-транзистор от ON Semiconductor. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, выдерживает напряжение сток-затвор до -30 В и мощность рассеивания 225 мВт. Подходит для коммутации слаботочных сигналов и аналоговых ключей в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel JFET |
| Маркировка | 6Y |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | MMBFJ176 |
| Снижение выше 25°C | 1.8mW/°C |
| Drain gate voltage max | -30V |
| Напряжение затвор-исток макс. | 30V |
| Forward gate current max | 50mA |
| Gate reverse current max | 1.0nA |
| Total device dissipation | 225mW |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Макс. Rси вкл. | 250Ω |
| Gate source cutoff voltage max | 4.0V |
| Gate source cutoff voltage min | 1.0V |
| Gate source breakdown voltage min | 30V |
| Zero gate voltage drain current max | -25mA |
| Zero gate voltage drain current min | -2.0mA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |