Документация
Транзистор полевой STB6NK90ZT4
Нет в наличии
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от ST Microelectronics в SMD-корпусе D2PAK (TO-263). Выдерживает напряжение до 900 В и импульсный ток до 23.2 А. Отличается быстрым переключением (типовое время нарастания и спада — 20 нс). Применяется в импульсных источниках питания и преобразователях напряжения для промышленной и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Tf тип. | 20ns |
| Tr тип. | 20ns |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Qgd тип. | 25nC |
| Qgs тип. | 8.5nC |
| Qrr тип. | 5880nC |
| Trr тип. | 840ns |
| Макс. Vds | 900V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип. Ciss | 1350pF |
| Coss тип. | 130pF |
| Тип. Crss | 26pF |
| Igss макс. | ±10µA |
| Тип. обратный ток | 14A |
| Тип монтажа | SMD |
| V br gso | ±30V |
| V sd typ | 1.6V |
| Макс. dV/dt | 4.5V/ns |
| Ток стока импульсный | 23.2A |
| Td(вкл) тип. | 17ns |
| Rds(вкл) макс. | 2Ω |
| Rds(вкл) тип. | 1.56Ω |
| Td(выкл) тип. | 20ns |
| Технология | SuperMESH |
| Vgs порог макс. | 4.5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 3.75V |
| Coss eq typ | 70pF |
| Артикул | STB6NK90ZT4 |
| Tf fall typ | 12ns |
| Tr voff typ | 11ns |
| Макс. IDSS при 25°C | 1µA |
| Ptot to220fp | 30W |
| Qg total max | 60.5nC |
| Тип. полный заряд затвора | 46.5nC |
| IDSS макс. 125°C | 50µA |
| Одиночный импульс EAS | 300mJ |
| Ток стока непрерывный 25C | 5.8A |
| Tc cross over typ | 20ns |
| Непрерывный ток 100°C | 3.65A |
| V sd test condition | ISD=5.8A, VGS=0V |
| Ias avalanche current | 5.8A |
| Rds on test condition | VGS=10V, ID=2.9A |
| Vgs th test condition | VDS=VGS, ID=100µA |
| Ptot d2pak to220 to247 | 140W |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Thermal resistance junction pcb | 60°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.89°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?