Заказы

Транзистор SPP17N80C3

Изображение SPP17N80C3
доп. изображение SPP17N80C3
*Реальное изображение товара может отличаться
Артикул: 92370
Ссылка: https://radiodetali.com/tranzistor-spp17n80c3.html
Производитель: Infineon
Под заказ
SELECT `qty`+`qty_msk`-`rez_minsk`-`rez_msk` as `qt`,`qty`-`rez_minsk` as `qt_minsk`, `qty_msk`-`rez_msk` as `qt_msk`,`modx_site_content_tmc`.`unit`,`modx_site_content_tmc`.`stock_status`,`modx_site_content_tmc`.`will`,`modx_site_content_tmc`.`status_tov`,`packing` FROM `modx_site_content_tmc` LEFT JOIN `modx_site_content_sklad` ON `modx_site_content_sklad`.`sku`=`modx_site_content_tmc`.`sku` WHERE `modx_site_content_tmc`.`resource`=159740
Корпус
PG-TO220-3-1
В упаковке, шт
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
PG-TO220-3-1
В упаковке, шт
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Производители
Наши партнеры
Новости
УРМ Radiodetali
УРМ Radiodetali

Удаленное рабочее место «Radiodetali», предназначено для резервирования, заказа, оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.