Заказы

Транзистор IRF7309TRPBF

Изображение IRF7309TRPBF
доп. изображение IRF7309TRPBF
*Реальное изображение товара может отличаться
Артикул: 92374
Ссылка: https://radiodetali.com/tranzistor-irf7309trpbf.html
Производитель: Infineon
Под заказ
SELECT `qty`+`qty_msk`-`rez_minsk`-`rez_msk` as `qt`,`qty`-`rez_minsk` as `qt_minsk`, `qty_msk`-`rez_msk` as `qt_msk`,`modx_site_content_tmc`.`unit`,`modx_site_content_tmc`.`stock_status`,`modx_site_content_tmc`.`will`,`modx_site_content_tmc`.`status_tov`,`packing` FROM `modx_site_content_tmc` LEFT JOIN `modx_site_content_sklad` ON `modx_site_content_sklad`.`sku`=`modx_site_content_tmc`.`sku` WHERE `modx_site_content_tmc`.`resource`=159742
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 4000 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт
Диапазон рабочих температур, °C
-55…+150 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1.0
Заряд
затвора (Qg) - 25 нКл
Максимально допустимое напряжение
сток-исток (Vds max) - 30 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимальный ток
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4 A(N-Channel), 3 A(P-Channel)
Напряжение
пороговое затвора (Vgs th) - 1В
Описание
30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
Сопротивление
сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм (N-канал);сток-исток открытого транзистора (Rds) - 100 мОм (P-канал)
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 4000 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт
Диапазон рабочих температур, °C
-55…+150 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1.0
Заряд
затвора (Qg) - 25 нКл
Максимально допустимое напряжение
сток-исток (Vds max) - 30 В; затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Максимальный ток
Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4 A(N-Channel), 3 A(P-Channel)
Напряжение
пороговое затвора (Vgs th) - 1В
Описание
30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
Сопротивление
сток-исток открытого транзистора (Rds) - 50 мОм (N-канал);сток-исток открытого транзистора (Rds) - 100 мОм (P-канал)
Тип:MOSFET;Тип проводимости:N+P;Максимальное напряжение сток-исток, В:30 / -30;Максимальный ток стока (при Ta=25C), А:4 / -3;Минимальное сопротивление открытого канала, мОм:50 / 100;Заряд затвора, нКл:25;Описание:30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET;Напряжение:пороговое затвора (Vgs th)-1В;Диапазон рабочих температур:-55…+150 °С;Максимально допустимое напряжение:затвор-исток (Vgs) ± 20 В;Мощность:рассеиваемая (Pd)-1.4 Вт;Вес брутто:0.23;Способ монтажа:поверхностный (SMT);Корпус:SOIC-8;Упаковка:REEL, 4000 шт.
Производители
Наши партнеры
Новости
УРМ Radiodetali
УРМ Radiodetali

Удаленное рабочее место «Radiodetali», предназначено для резервирования, заказа, оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.