Заказы

Транзистор полевой SI4288DY-T1-GE3

Изображение SI4288DY-T1-GE3
доп. изображение SI4288DY-T1-GE3
*Реальное изображение товара может отличаться
Артикул: 139755
Ссылка: https://radiodetali.com/139755.html
Производитель: Vishay
Под заказ
SELECT `qty`+`qty_msk`-`rez_minsk`-`rez_msk` as `qt`,`qty`-`rez_minsk` as `qt_minsk`, `qty_msk`-`rez_msk` as `qt_msk`,`modx_site_content_tmc`.`unit`,`modx_site_content_tmc`.`stock_status`,`modx_site_content_tmc`.`will`,`modx_site_content_tmc`.`status_tov`,`packing` FROM `modx_site_content_tmc` LEFT JOIN `modx_site_content_sklad` ON `modx_site_content_sklad`.`sku`=`modx_site_content_tmc`.`sku` WHERE `modx_site_content_tmc`.`resource`=284219
Корпус
8-SOIC
В упаковке, шт
Digi-Reel®
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
FET Feature
Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Максимальная рассеиваемая мощность
3.1W
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
8-SOIC
В упаковке, шт
Digi-Reel®
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
FET Feature
Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Максимальная рассеиваемая мощность
3.1W
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Производители
Наши партнеры
Новости
УРМ Radiodetali
УРМ Radiodetali

Удаленное рабочее место «Radiodetali», предназначено для резервирования, заказа, оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.