SELECT `qty`+`qty_msk`-`rez_minsk`-`rez_msk` as `qt`,`qty`-`rez_minsk` as `qt_minsk`, `qty_msk`-`rez_msk` as `qt_msk`,`modx_site_content_tmc`.`unit`,`modx_site_content_tmc`.`stock_status`,`modx_site_content_tmc`.`will`,`modx_site_content_tmc`.`status_tov`,`packing` FROM `modx_site_content_tmc` LEFT JOIN `modx_site_content_sklad` ON `modx_site_content_sklad`.`sku`=`modx_site_content_tmc`.`sku` WHERE `modx_site_content_tmc`.`resource`=278563
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 2500 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Диапазон рабочих температур, °C
-40…+125 °С
Масса
3.51
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
2
Выходной ток
1,5 А
Количество
каналов - 2
Напряжение
питания 6...20В
Описание
Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
Тип выхода
CMOS, LSTTL
Ток
источника питания(рабочий) - 100 uA
Корпус
SOIC-8 (SMD)
В упаковке, шт
REEL, 2500 шт.
Мощность, Вт
рассеиваемая (max) - 625 мВт
Диапазон рабочих температур, °C
-40…+125 °С
Масса
3.51
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
2
Выходной ток
1,5 А
Количество
каналов - 2
Напряжение
питания 6...20В
Описание
Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver
Тип выхода
CMOS, LSTTL
Ток
источника питания(рабочий) - 100 uA
Тип:Драйвер нижнего плеча для управления затвором MOSFET и IGBT;Вес брутто:0.32;Транспортная упаковка: размер/кол-во:58*46*59/5000;Мощность:рассеиваемая (max)-625 мВт;Напряжение:питания 6...20В;Диапазон рабочих температур:-40…+125 °С;Ток:источника питания(рабочий)-100 uA;Описание:Low voltage high speed power IGBT, N-Channel MOSFET Gate Driver;Количество:каналов-2;Выходной ток:1,5 А;Тип выхода:CMOS, LSTTL;Корпус:SOIC-8;Упаковка:REEL, 2500 шт.;MSL(Уровень чувствительности к влажности):2
Удаленное рабочее место «Radiodetali», предназначено для резервирования, заказа,
оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.
